| Разработчики: | Санкт-Петербургский государственный университет (СПбГУ) |
| Дата премьеры системы: | июнь 2023 г. |
| Отрасли: | Электротехника и микроэлектроника |
2023: Анонс продукта
Научные сотрудники Санкт-Петербургского государственного университета первыми в России создали и запатентовали устройство для получения силицена, материала для развития будущей микроэлектроники. Об этом в середине июня 2023 года сообщила пресс-служба вуза.
Как заявили в СПбГУ, эта уникальная для России разработка может стать перспективной для посткремниевой микроэлектроники в будущем. Ученые из СПбГУ использовали термическую сублимацию исходного материала для получения тонкой пленки. Для этого на подложку вольфрама, где частицы металла откладываются и образуют тонкий слой пленки – силицена. Процесс происходит в вакууме для обеспечения чистых и беспрепятственных условий формирования пленки. Физики СПбГУ наносили атомарный поток кремния на нагретую до 200°C подложку вольфрама с уже нанесенным слоем серебра. За счет перемещения атомов кремния на поверхности нагретой подложки исследователям удалось получить однослойный силицен, а крупные кристаллические домены силицена удалось сформировать за счет структурных параметров слоя серебра.
 | Особенность технологии заключается в формировании однослойного силицена. От других аналогов наша разработка разниться увеличенным размером нанокристаллических доменов, достигающем 100 нм на 100 нм, - сообщил профессор кафедры электроники твердого тела СПбГУ Алексей Комолов. |  |
По данным пресс-службы СПбГУ, на 16 июня 2023 года исследователи интенсивно изучают материалы, которые могли бы заменить дорогой кристаллический кремний в устройствах микроэлектроники. Одним из них является графен, а его кремниевым аналогом является силицен. По данным исследователей СПбГУ, у графена и силицена атомы уложены в один слой шестиугольников, напоминающий пчелиные соты, но если у графена этот слой плоский, то шестиугольники силицена гофрированные.[1]
Примечания
