ReRAM - Резистивная память случайного доступа

Мемристорам требуется меньше энергии для работы, они быстрее современных твердотельных накопителей и могут сохранять информацию даже при выключенном питании. Мемристор (сокр. от англ. `memory resistor` – «резистор памяти ») был предложен в качестве четвертого основного элемента электросхемы профессором Университета Калифорнии (Berkeley) Леоном Чуа в 1971г. и впервые реализован на практике разработчиками Лабораторий НР, главного научно-исследовательского подразделения компании, в 2006г.

В начале 2010 года исследователи HP Labs сообщили об открытии, согласно которому мемристоры также могут совершать логические операции. Это позволяет полагать, что устройства, созданные на основе мемристоров, могут изменить сложившуюся парадигму обработки данных при помощи отдельного центрального процессора, позволив в будущем выполнять аналогичные операции прямо на чипах, хранящих информацию.

2024: В России создали платформу для производства памяти, работающей без электроэнергии

В начале марта 2024 года российские специалисты Национального центра физики и математики (НЦФМ) сообщили о разработке единой технологической платформы для интеграции мемристорных устройств в отечественный процесс производства современных кремниевых чипов. Таким образом, в РФ создана возможность для развития направления памяти RRAM.

Технология RRAM предполагает создание резистивной памяти с произвольным доступом. Суть методики заключается в том, что диэлектрики, которые в обычном состоянии имеют очень высокое сопротивление, после приложения определенного напряжения могут сформировать внутри себя проводящие нити низкого сопротивления, и таким образом превратиться в проводник.

𝓲

Unsplash

Российские ученые разработали и реализовали топологию интегральной схемы для производства энгергонезависимой памяти RRAM на основе сочетания традиционной кремниевой технологии в части управляющих схем и новых технологий хранения информации, разработанных в рамках научной программы НЦФМ. Новая методика позволяет использовать верхние слои металлизации в классических кремниевых микрочипах для размещения в них мемристоров. Это пассивный электрический элемент, способный изменять свое сопротивление в зависимости от протекшего через него электрического заряда.Известный писатель-фантаст Сергей Лукьяненко выступит на TAdviser SummIT 28 ноября. Регистрация 5.6 т

Как сообщает ТАСС, ссылаясь на заявления российских ученых, мемристоры могут использоваться для создания аналогов нервных окончаний. Их можно также применять в качестве основы для очень экономичной, но при этом быстрой памяти, которая сочетает в себе энергонезависимость флеш-накопителей и высокую скорость работы оперативной памяти.

Сопротивление мемристора может изменяться в зависимости от прошедшего через него электрического заряда, то есть мемристор «запоминает» количество прошедшего через него заряда и сохраняет эту информацию в виде своего сопротивления. Такие свойства мемристора открывают возможности создания на его основе ячеек долговременной памяти и систем для «вычислений в памяти», причем мемристорные элементы памяти могут быть более компактными и быстрыми, чем элементы современной флеш-памяти, — говорит академик РАН Игорь Каляев, сопредседатель научных направлений НЦФМ.[1]

Смотрите также

• DRAM-память (мировой рынок)
• 3D NAND флэш-память
• Энергонезависимая память (NVRAM Non Volatile Random Access Memory)
• Сегнетоэлектрическая оперативная память (Ferroelectric RAM, FeRAM, FRAM)
• MRAM (magnetoresistive random access memory, магниторезистивная память с произвольным доступом)

Примечания